導電型碳化硅襯底
同光先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量,更好的滿足客戶的需求,目前可批量供應4英寸和6英寸導電型產品。
- 產品描述
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參數 Parameter 單位 Unit 具體規格 Specification Value 備注 Remark 等級 Grade Production+ Grade Research Grade Dummy Grade 直徑 Diameter mm 150+0/-0.2 150+0/-0.5 厚度 Thickness μm 500±15 500±25 晶型 Polytype 4H-SiC 表面取向
Surface Orientation<0001>±0.2° <0001>±0.5° 總厚度偏差
TTVμm ≤7 ≤8 ≤15 彎曲度 BOW μm 0±15 0±20 0±30 翹曲度 Warp μm ≤25 ≤30 ≤45 表面粗糙度
Surface Roughnessnm C-face:mirror polished,Ra<3.0 AFM@5μm*5μm Si-face: CMP,Ra<0.2
應用領域
高鐵動車
新能源汽車
智能電網
風力發電
光伏逆變器
充電樁
產品詢價